Quasimomentum-Space Image for Ultrafast Melting of Silicon.
Quasimomentum-Space Image for Ultrafast Melting of Silicon.
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硅超快熔化的拟动量空间图像
DOI：
10.1103/physrevlett.116.153901
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发表时间：
2016
影响因子：
8.6
通讯作者：
M. E. Garcia
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Zier;E. S. Zijlstra;M. E. Garcia
通过激发存活时间仅为皮秒的电子-空穴对，强大的飞秒激光可能会瞬间影响半导体的成键性能，导致结构变化，特别是超快熔化。为了确定硅在这一过程中的能量流动，我们进行了初始分子动力学模拟和准量子空间的分析。我们发现，随着激发密度的增加，能量的流动有很大的不同，即主要通过长波、点或点晶格振动。
By exciting electron-hole pairs that survive for picoseconds strong femtosecond lasers may transiently influence the bonding properties of semiconductors, causing structure changes, in particular, ultrafast melting. In order to determine the energy flow during this process in silicon we performedab initiomolecular dynamics simulations and an analysis in quasimomentum space. We found that energy flows very differently as a function of increasing excitation density, namely, mainly through long wavelength,-point, or-point lattice vibrations, respectively.
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