Enhanced tunneling current at Schottky contacts formed on heavily P+-implanted SiC
Enhanced tunneling current at Schottky contacts formed on heavily P+-implanted SiC
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在重磷注入的 SiC 上形成的肖特基接触处增强的隧道电流
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Hara;M. Kaneko;and T. Kimoto
