Characteristic photoluminescence properties of Si nanocrystals in SiO2 fabricated by ion implantation and annealing
Characteristic photoluminescence properties of Si nanocrystals in SiO2 fabricated by ion implantation and annealing
复制标题
离子注入和退火制备的 SiO2 硅纳米晶的光致发光特性
DOI：
10.1016/s0038-1101(00)00261-6
复制
发表时间：
2001
影响因子：
1.7
通讯作者：
I. Boyd
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tsutomu Shimizu;T. Hama;D. Hole;I. Boyd
自由基氧形成的SiO2的介电特性
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
S.;Okamoto・R.;Hasunuma and K.;Yamabe
通讯作者：
Yamabe