Technology of Ferroelectric Thin Film Formation with Large Memory Window for Future Scaling Down of Ferroelectric Gate FET Memory Device
Technology of Ferroelectric Thin Film Formation with Large Memory Window for Future Scaling Down of Ferroelectric Gate FET Memory Device
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用于未来铁电栅极 FET 存储器件小型化的大存储窗口铁电薄膜形成技术
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ichirou Takahashi;Tadahiro Ohmi;et al.
