Evaluation of Reactive Ion Etching-induced Damage on 2DEG at AlGaN/GaN Interface
Evaluation of Reactive Ion Etching-induced Damage on 2DEG at AlGaN/GaN Interface
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AlGaN/GaN 界面处的 2DEG 反应离子刻蚀引起的损伤评估
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Heiji Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mikio Nozaki;Daiki Terashima;Akitaka Yoshigoe;Takuji Hosoi;Takayoshi Shimura;Heiji Watanabe
