380 keV proton irradiation effects on photoluminescence of Eu-doped GaN
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DOI：
10.1016/j.nimb.2007.12.103
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发表时间：
2008-03
影响因子：
1.3
通讯作者：
H. Okada;Y. Nakanishi;A. Wakahara;A. Yoshida;T. Ohshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Okada;Y. Nakanishi;A. Wakahara;A. Yoshida;T. Ohshima
