Orientational Control of Initial Si Nuclei Growth on Epitaxial Graphene Substrate using AlN Multi-functional Intermediate Layer
Orientational Control of Initial Si Nuclei Growth on Epitaxial Graphene Substrate using AlN Multi-functional Intermediate Layer
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使用AlN多功能中间层控制外延石墨烯衬底上初始硅核生长的取向
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and A. Hashimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Terai;D. Ishimaru;and A. Hashimoto
