T. Egawa et al.: "Characteristics of a GaN Metal Semiconductor Fiel-Effect Transistor Grown on a Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol. 38, No. 4B. 2630-2633 (1999)
T. Egawa et al.: "Characteristics of a GaN Metal Semiconductor Fiel-Effect Transistor Grown on a Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition"Jpn. J. Appl. Phys.. Vol. 38, No. 4B. 2630-2633 (1999)
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T. Ekawa 等人：“通过金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的 GaN 金属半导体场效应晶体管的特性”Jpn。
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