A study of the localized state at 0.7〜1.2 eV in the μc-Si:H by resonant-PBS and CPM
A study of the localized state at 0.7〜1.2 eV in the μc-Si:H by resonant-PBS and CPM
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利用共振PBS和CPM研究μc-Si:H在0.7〜1.2 eV的局域态
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Nonomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Kunii;H.Shibagaki;T.Kiriyama;N.Yoshida;S.Nonomura
