Effects of strain, interface states and back bias on electrical characteristics of Ge-source UTB strained-SOI tunnel FETs
Effects of strain, interface states and back bias on electrical characteristics of Ge-source UTB strained-SOI tunnel FETs
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应变、界面态和反向偏压对 Ge 源 UTB 应变 SOI 隧道 FET 电特性的影响
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Minsoo Kim
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. -S. Kim;Y. -H Kim;M. Yokoyama;R. Nakane;S. -H. Kim;M. Takenaka and S. Takagi;Minsoo Kim
