Development of high-sensitive magnetoresistance devices using half-metallic Heusler alloy Co_2MnSi
Development of high-sensitive magnetoresistance devices using half-metallic Heusler alloy Co_2MnSi
复制标题
半金属Heusler合金Co_2MnSi高灵敏磁阻器件的研制
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
桜庭裕弥
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Sasakura;S. Adachi;R. Kaji;S. Muto;桜庭裕弥
