Sharp edged sub-20 nm graphene single-electron devices by Helium ion beam milling technique
Sharp edged sub-20 nm graphene single-electron devices by Helium ion beam milling technique
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采用氦离子束铣削技术制备锋利的亚 20 nm 石墨烯单电子器件
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Manoharan M. and H. Mizuta
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Kalhor;S. Hang;T. Iwasaki;Z. Moktadir;S. Boden;Manoharan M. and H. Mizuta
