Fabrication of InN/InGaN Quantum Well Structures by RF-MBE
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RF-MBE 制造 InN/InGaN 量子阱结构
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masahito Kurouchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Kumazaki;Y. Takagi;M.Ishihara;K. Kasahara;A. Sugiyama;N. Akikusa;T. Edamura;Masahito Kurouchi
