Activation and Defect Reduction of Hydrogenated InGaZnOx Thin Film Transistor at Low Temperature (150 °C)
Activation and Defect Reduction of Hydrogenated InGaZnOx Thin Film Transistor at Low Temperature (150 °C)
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氢化InGaZnOx薄膜晶体管在低温（150℃）下的激活和缺陷减少
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S G Mehadi Aman
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Fujikawa;J. Takeuchi;Y. Harada;and H. I. Fujishiro;S G Mehadi Aman
