Ferroelectric and Electrical Properties of BaZrO3 Doped Sr0.8Bi2.2Ta2O9 Thin Films
Ferroelectric and Electrical Properties of BaZrO3 Doped Sr0.8Bi2.2Ta2O9 Thin Films
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BaZrO3 掺杂 Sr0.8Bi2.2Ta2O9 薄膜的铁电和电性能
DOI：
10.1557/proc-1071-f03-09
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Shinozaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. S. Bozgeyik;J. Cross;H. Ishiwara;K. Shinozaki
制备了BaZrO3 （BZO）掺杂Sr0.8Bi2.2Ta2O9 （SBT）薄膜，并对其铁电性能和电学性能进行了评价。
BaZrO3 (BZO) doped Sr0.8Bi2.2Ta2O9 (SBT), a new modified SBT, thin films were prepared and related ferroelectric and electrical properties were evaluated.
影响因子：
1.5
作者：
Y. Noguchi;M. Miyayama;K. Oikawa;T. Kamiyama;M. Osada;M. Kakihana
通讯作者：
Y. Noguchi;M. Miyayama;K. Oikawa;T. Kamiyama;M. Osada;M. Kakihana