Managing Green Emission in Coupled InGaN QW−QDs Nanostructures via Nanoengineering
Managing Green Emission in Coupled InGaN QW−QDs Nanostructures via Nanoengineering
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通过纳米工程管理耦合 InGaN QW–QD 纳米结构的绿色排放
DOI：
10.1021/acs.jpcc.7b07826
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发表时间：
2017
影响因子：
3.7
通讯作者：
S. J. Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Z.C. Su;Z. L. Wang;J.D. Yu;Y. Yi;M. Z. Wang;L. Wang;Y. Luo;J. N. Wang;S. J. Xu
通过利用和设计耦合InGaN QW-QD纳米结构作为有源层，我们展示了在高温下具有4.5 nm GaN势垒层的混合纳米结构中绿色发射的显著增强。这种增强归因于激子从量子阱到量子点的依赖于温度的声子辅助隧穿，以及在具有4.5 nm阻挡层的样品中定位于量子点层中的激子的非辐射复合的抑制。本研究为InGaN基绿色LED的优化设计提供了理论依据，同时也对InGaN量子阱-量子点混合纳米结构内部复杂的发光机理提供了理论依据。
By utilizing and designing coupled InGaN QW–QDs nanostructures as active layer, we show a demonstration of significant enhancement of green emission in the hybrid nanostructure with a 4.5 nm GaN barrier layer at high temperatures. Such enhancement is ascribed to temperature-dependent phonon-assisted tunneling of excitons from QW to QDs and suppression of nonradiative recombination of excitons localized in the QDs layer in the sample with a 4.5 nm barrier layer. This study shall be useful for optimization design of high-efficiency InGaN-based green LEDs and also could shed some light on the complicated internal luminescence mechanisms in InGaN QW–QDs hybrid nanostructures.