Co-existence of a few and sub micron inhomogeneities in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
Co-existence of a few and sub micron inhomogeneities in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells
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富铝 AlGaN/AlN 量子阱中少数和亚微米不均匀性的共存
DOI：
10.1063/1.4915533
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发表时间：
2015
影响因子：
3.2
通讯作者：
and Y. Kawakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Iwata;T. Oto;D. Gachet;R. G. Banal;M. Funato;and Y. Kawakami
