AlGaAs diodes for X-ray spectroscopy
AlGaAs diodes for X-ray spectroscopy
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用于 X 射线光谱分析的 AlGaAs 二极管
DOI：
10.1016/j.nima.2008.06.038
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发表时间：
2008
影响因子：
1.4
通讯作者：
J. David
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Lees;D. Bassford;J. Ng;C. Tan;J. David
具有低反向漏电流 (<10nA) 的 Al0.8Ga0.2As p+–p−–n+ 二极管作为室温 (23°C) 软 X 射线光子计数探测器进行评估。来自 55Fe 放射源的 X 射线光谱表明，这些二极管可用于光谱学，在 5.9keV 处的能量分辨率为 1.47keV FWHM。在升高的反向偏压水平（>20V）下，我们观察到雪崩倍增，这在提高信噪比的同时，降低了光谱性能。
Al0.8Ga0.2As p+–p−–n+diodes with low reverse leakage currents (<10nA) were evaluated as room temperature (23°C), soft X-ray photon-counting detectors. X-ray spectra from a55Fe radioactive source show these diodes can be used for spectroscopy with promising energy resolution of 1.47keV FWHM at 5.9keV. At elevated reverse bias levels (>20V), we observed avalanche multiplication which, while improving the signal-to-noise ratio, degraded the spectroscopic performance.