Low temperature growth of Ge1 ― xSnx buffer layers for tensile―strained Ge layers
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DOI：
10.1016/j.tsf.2009.10.044
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Y. Shimura;Norimasa Tsutsui;O. Nakatsuka;A. Sakai;S. Zaima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Shimura;Norimasa Tsutsui;O. Nakatsuka;A. Sakai;S. Zaima
