High p-type doping of MgZnCdSe on InP substrates by inserting ZnTe thin layers
High p-type doping of MgZnCdSe on InP substrates by inserting ZnTe thin layers
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通过插入 ZnTe 薄层在 InP 衬底上高 p 型掺杂 MgZnCdSe
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takumi Saitoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ichirou;Nomura;Tomohiro;Yamazaki;Hiroaki;Hayashi;Koichi;Hayami;Masaki;Kato;Katsumi;Kishino;Ichirou Nomura;Ichirou Nomura;Ichirou Nomura;Takumi Saitoh
