新型Si3N4层部分固定正电荷AlGaN/GaNHEMTs器件耐压分析
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DOI：
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发表时间：
2012
影响因子：
1
通讯作者：
Chen, Kevin J.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Duan Bao-Xing;Yang Yin-Tang;Chen, Kevin J.
