Fabrication and properties of semi-polar(1-101)and(11-22)InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates
Fabrication and properties of semi-polar(1-101)and(11-22)InGaN/GaN light emitting diodes on patterned Si substrates
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图案化硅衬底上半极性(1-101)和(11-22)InGaN/GaN发光二极管的制备及性能
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hikosaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yusaku Ohta;Irwan Meilano;Takeshi Sagiya;Fumiaki Kimata;Kazuro Hirahara;松岡陽子;松岡 陽子;T. Hikosaka
