GaN系VCSELに向けた微小段差による横方向光閉じ込め・電流狭窄構造
GaN系VCSELに向けた微小段差による横方向光閉じ込め・電流狭窄構造
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使用微小步骤的 GaN 基 VCSEL 的横向光学限制和电流限制结构
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岩谷 素顕
中科院分区：
文献类型：
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作者：
田中 実乃里;飯田 涼介;小田 薫;稲垣 徹郎; 柴田 夏奈;長澤 剛;竹内 哲也;上山 智;岩谷 素顕
