T.Hashizume: " Dominant Electron Trap with Metastable state in Molecular Beam Epitaxial GaAs Grownat Low Temperatures" Japanese Journal of Applied Physics. 36. 1775-1780 (1997)
T.Hashizume: " Dominant Electron Trap with Metastable state in Molecular Beam Epitaxial GaAs Grownat Low Temperatures" Japanese Journal of Applied Physics. 36. 1775-1780 (1997)
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T.Hashizume：“在低温下生长的分子束外延 GaAs 中具有亚稳态的主电子陷阱”日本应用物理学杂志。
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