Accurate Evaluation of Interface Trap Density at InAs MOS Interfaces by Using C-V Curves at Low Temperatures
Accurate Evaluation of Interface Trap Density at InAs MOS Interfaces by Using C-V Curves at Low Temperatures
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利用低温下 C-V 曲线准确评估 InAs MOS 界面的界面陷阱密度
DOI：
10.35848/1347-4065/acb1bd
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Yoshizu;K. Sumita;K. Toprasertpong;M. Takenaka;and S. Takagi
