CMOS Implementation of a Multiple-Valued Memory Cell Using A-Shaped Negative-Resistance Devices
CMOS Implementation of a Multiple-Valued Memory Cell Using A-Shaped Negative-Resistance Devices
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使用 A 形负阻器件的多值存储单元的 CMOS 实现
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Katsutoshi Saeki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Katsutoshi Saeki
