Elimination of phosphorus vaporizing from molten silicon at finite reduced pressure
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DOI：
10.1016/s1003-6326(11)60768-1
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发表时间：
2011-03
影响因子：
4.5
通讯作者：
Songsheng Zheng;J. Safarian;S. Seok;Sungwook Kim;Tangstad Merete;Xuetao Luo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Songsheng Zheng;J. Safarian;S. Seok;Sungwook Kim;Tangstad Merete;Xuetao Luo
