Electronic Structure of Hole-Doped Transition Metal Cyanidese
Electronic Structure of Hole-Doped Transition Metal Cyanidese
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空穴掺杂过渡金属氰化物的电子结构
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Moritomo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Kurihara;H;.Funashima;M Ishida;N.Hamada;T.Matsuda;K.Igarashi;H.Tanida;T.Uruga;Y.Moritomo
