Fast Operation and Freely Achievable Multiple Resistance Levels 1n Ge Te-Based Lateral Phase Change Memory
Fast Operation and Freely Achievable Multiple Resistance Levels 1n Ge Te-Based Lateral Phase Change Memory
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快速运行且可自由实现的多个电阻级别 1n Ge Te 基横向相变存储器
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Hosaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yin;Y. Zhang;and S. Hosaka
