Impacts of hydrogen annealing induced mobile ions on thermal Si02/SiC interface property
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氢退火引起的移动离子对热 SiO2/SiC 界面性能的影响
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
アタウット・チャンタパン
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Atsushi Sugihara;Shigemi Mizukami;Yuki Yamada ;Kazuyuki Koike;and Terunobu Miyazaki;アタウット・チャンタパン
