Investigation on threading dislocation reduction in CdTe/Si epitaxial layer using post-growth patterning and annealing technique
Investigation on threading dislocation reduction in CdTe/Si epitaxial layer using post-growth patterning and annealing technique
复制标题
使用后生长图案化和退火技术减少 CdTe/Si 外延层中的穿透位错的研究
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Madan Niraula
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bal Singh Chaudhari;Yutaka Takagi;Ryo Okumura;Madan Niraula
