Si(100)基板上の複合面方位CeO2領域間の分SOI 基板を用いた Si(100) 上の複合面方位CeO2 領域間の完全分離
Si(100)基板上の複合面方位CeO2領域間の分SOI 基板を用いた Si(100) 上の複合面方位CeO2 領域間の完全分離
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使用 SOI 衬底在 Si(100) 上实现具有多个取向的 CeO2 区域之间的完全分离
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
信田重成
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井上知泰;信田重成
