H.Kobayashi: "Interface state-induced shift of the oxide and semiconductor core levels for metal-oxide-semiconductor devices" J.Appl.Phys.80(3). 1578-1582 (1996)
H.Kobayashi: "Interface state-induced shift of the oxide and semiconductor core levels for metal-oxide-semiconductor devices" J.Appl.Phys.80(3). 1578-1582 (1996)
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H.Kobayashi：“金属氧化物半导体器件中氧化物和半导体核心能级的界面态诱导变化”J.Appl.Phys.80(3)。
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