Bulk-Sensitive Photoemission Spectroscopy of TlFe2Se2
Bulk-Sensitive Photoemission Spectroscopy of TlFe2Se2
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TlFe2Se2 的体敏光电发射光谱
DOI：
10.1088/1742-6596/391/1/012115
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Yamasaki ほか10名
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Nishitani;A. Yamasaki ほか10名
用体敏光电子能谱（PES）研究了铁硫系超导体TlFe2Se2母体化合物的电子结构。价带PES表明，由于Fe 3d态向较高结合能侧的移位，在费米能级处的能隙开口与计算的态密度相比，与运输测量中的绝缘行为一致。
We have investigated the electronic structures of the parent compound of an iron chalcogenide superconductor TlFe 2 Se 2 by bulk-sensitive photoemission spectroscopy (PES). Valence-band PES demonstrates the energy gap opening at the Fermi level due to the shift of Fe 3d state to the higher binding energy side as compared to the calculated density of states, being consistent with the insulating behaviour in transport measurements.