VUV 光照射したCytop ゲート絶縁層のエレクトレット効果とTFT 特性
VUV 光照射したCytop ゲート絶縁層のエレクトレット効果とTFT 特性
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VUV光照射下Cytop栅极绝缘层的驻极体效应及TFT特性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
長谷川達生
中科院分区：
文献类型：
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作者：
松岡悟志;太向弘明;堤潤也;長谷川達生
