Atomic switch: Development of resistive switching memories based on nanoscale migration of cations in oxide thin films

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原子开关：基于氧化物薄膜中阳离子纳米级迁移的阻变存储器的开发

DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
Proceedings of the 23rd Symposium on Phase Change Optical Information Storage
影响因子：
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通讯作者：
and M. Aono
and M. Aono
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
T. Tsuruoka;T. Hasegawa;K. Terabe;and M. Aono

文献摘要

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