Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers
Alternating Current Surface Photovoltage in Thermally Oxidized Cr-Contaminated n-Type Silicon Wafers
复制标题
热氧化铬污染 n 型硅片中的交流表面光电压
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and M. Ikeda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Shimizu;S. Nagase;and M. Ikeda
