高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製
高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製
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使用高浓度 SOI 衬底和转移方法制造 TMDC FET
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小田 俊理
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川那子 高暢;居駒 遼;高木 寛之;小田 俊理
