The role of surface chemistry on the growth of GaN on 6H-SiC by HVPE
The role of surface chemistry on the growth of GaN on 6H-SiC by HVPE
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表面化学对 HVPE 在 6H-SiC 上生长 GaN 的作用
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. S. Ha;H.-J. Lee;H. J. Lee;S. W. Lee;S. Nagata;S. H. Lee;et.al.
