沉积温度对化学气相沉积法制备铜薄膜性质的影响
沉积温度对化学气相沉积法制备铜薄膜性质的影响
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DOI：
10.13922/j.cnki.cjvst.202010003
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
陈志杰
中科院分区：
文献类型：
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作者：
刘莎;徐源来;赵培;李紫琪;陈志杰
以双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铜(Cu(DPM)_2)为前驱体,使用智能化学气相沉积设备在673 K至1173 K下于AlN多晶基板上制备Cu薄膜。研究了不同沉积温度对Cu薄膜的相组成、择优取向、宏观表面、微观结构、元素组成及电导的影响。在873 K至1173 K时制备了具有(111)择优取向的紫铜色铜薄膜,同时存在(200)和(220)取向,且铜晶粒呈岛状生长模式。随着沉积温度的升高,薄膜的导电性先增强后减弱。在1073 K时,制得了导电性最好且高度(111)择优取向的最纯紫铜色Cu薄膜,即1073 K为制备Cu薄膜的最佳沉积温度。