L.-S.Hong: "Sticking Probability of the Film Precursor in Epitaxial Growth of SiC Films by Chemical Vapor Deposition from SiH_4 and C_3H_8" Proc.of the 12th International Symp.on CVD. 401-407 (1993)
L.-S.Hong: "Sticking Probability of the Film Precursor in Epitaxial Growth of SiC Films by Chemical Vapor Deposition from SiH_4 and C_3H_8" Proc.of the 12th International Symp.on CVD. 401-407 (1993)
复制标题
L.-S.Hong：“SiH_4 和 C_3H_8 化学气相沉积法外延生长 SiC 薄膜中薄膜前驱体的粘着概率”第 12 届国际 CVD 研讨会论文集。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
