Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE
Uniform growth of GaN on AlN templated (111)Si substrate by HVPE
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通过 HVPE 在 AlN 模板 (111)Si 衬底上均匀生长 GaN
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N.Sawaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Honda;M.Okano;M.Yamaguchi;N.Sawaki
