Improvement of electrical properties of n-type nanocrystalline 3C-SiC thin films prepared by hot-wire CVD at high H_2-dilution
Improvement of electrical properties of n-type nanocrystalline 3C-SiC thin films prepared by hot-wire CVD at high H_2-dilution
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高H_2稀释热线CVD制备n型纳米晶3C-SiC薄膜电学性能的改善
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Hoshide A. Tabata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Mazaki;A. Tabata. Kitagawa;A. Kondo;N. Ikenaga;Y. Hoshide A. Tabata
