First-Principles Molecular Dynamics Simulation of SiC Devices : Generation of Amorphous Si O_2/SiC Interface
First-Principles Molecular Dynamics Simulation of SiC Devices : Generation of Amorphous Si O_2/SiC Interface
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SiC器件的第一性原理分子动力学模拟：非晶Si O_2/SiC界面的生成
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Miyashita;T.Ohnuma;M.Iwasawa;M.Yoshikawa;et al.
