オフ角制御高圧高温合成IIa型基板上へのCVD単結晶ダイヤモンドの合成と評価3～CH_4濃度・RF出力の電荷キャリア輸送特性への影響
オフ角制御高圧高温合成IIa型基板上へのCVD単結晶ダイヤモンドの合成と評価3～CH_4濃度・RF出力の電荷キャリア輸送特性への影響
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偏角控制高压高温合成IIa型基底上CVD单晶金刚石的合成与评价3-CH_4浓度和射频输出对载流子传输性能的影响
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
金子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
佐竹;金子
