中空構造SOI層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とプラスチック基板上での単結晶シリコンTFTと論理回路の作製
中空構造SOI層を用いた低温転写における転写歩留まり向上とプラスチック基板上での単結晶シリコンTFTと論理回路の作製
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使用空心SOI层提高低温转移的转移良率并在塑料基板上制造单晶硅TFT和逻辑电路
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
東 清一郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
水上 隆達;竹島 真治;山下 知徳;東 清一郎
