Formation of Graphene with Reduced Pits on SiC(0001) Assisted by Plasma Oxidation and Wet Etching
Formation of Graphene with Reduced Pits on SiC(0001) Assisted by Plasma Oxidation and Wet Etching
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等离子体氧化和湿法刻蚀辅助 SiC(0001) 上凹坑减少的石墨烯形成
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Mizuho Morita and Kenta Arima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daichi Mori;Naoki Saito;Akito Imafuku;Kentaro Kawai;Yasuhisa Sano;Mizuho Morita and Kenta Arima
