遷移金属添加窒化物半導体のバンド構造
遷移金属添加窒化物半導体のバンド構造
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过渡金属掺杂氮化物半导体的能带结构
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
園田早紀
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshinao Kumagai;Hirokazu Adachi;Aya Otake;Yoshihiro Higashikawa;Rie Togashi;Hisashi Murakami;Akinori Koukitu;園田早紀
