Generation Behavior of Electrical Damage Introduced into n-GaN Films by CF4 Plasma Treatments
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复制标题
CF4 等离子体处理对 n-GaN 薄膜电损伤的产生行为
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Retsuo Kawakami and Masahito Niibe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshitaka Nakano;Retsuo Kawakami and Masahito Niibe
