Effective mobility enhancement in Al2O3/InSb/Si quantum well MOSFETs for thin InSb channel layer.
Effective mobility enhancement in Al2O3/InSb/Si quantum well MOSFETs for thin InSb channel layer.
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有效增强 Al2O3/InSb/Si 量子阱 MOSFET 中薄 InSb 沟道层的迁移率。
DOI：
10.7567/jjap.52.04cf01
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Mizutani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ito;A. Kadoda;K. Nakayama;Y. Yasui;M. Mori;K. Maezawa;E. Miyazaki;T. Mizutani
